位置：首页 > IC中文资料第2483页 > AOTF7N60
| 型号 | 功能描述 | 生产厂家&企业 | LOGO | 操作 |
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AOTF7N60 | 600V,7AN-ChannelMOSFET 文件：154.25 Kbytes Page：6 Pages | AOSMDAlpha & Omega Semiconductors 万国半导体美国万国半导体 |  |   |
AOTF7N60 | iscN-ChannelMOSFETTransistor 文件：296.36 Kbytes Page：2 Pages | ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司 |  | |
AOTF7N60 | 600V,7AN-ChannelMOSFET 文件：167.19 Kbytes Page：6 Pages | AOSMDAlpha & Omega Semiconductors 万国半导体美国万国半导体 | | |
包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带 描述：MOSFET N-CH TO220 分立半导体产品 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | Alpha \u0026 Omega Semiconductor Inc. Alpha \u0026 Omega Semiconductor Inc. |  | | |
PlasticEncapsulatedDevice 文件：80.22 Kbytes Page：3 Pages | AOSMDAlpha & Omega Semiconductors 万国半导体美国万国半导体 | | | |
iscN-ChannelMOSFETTransistor 文件：296.75 Kbytes Page：2 Pages | ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司 | | | |
iscN-ChannelMosfetTransistor •DESCRITION •Designedforhighefficiencyswitchmodepowersupply. •FEATURES •DrainCurrent–ID=7A@TC=25℃ •DrainSourceVoltage- :VDSS=600V(Min) •StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=1.0Ω(Max) •AvalancheEnergySpecified •FastSwitching •SimpleDriveRequirem | ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司 | | | |
7Amps竊?00VoltsN-ChannelMOSFET ■Description TheET7N60N-ChannelenhancementmodesilicongatepowerMOSFETisdesignedforhighvoltage,highspeedpowerswitchingapplicationssuchasswitchingregulators,switchingconverters,solenoid,motordrivers,relaydrivers. ■Features ●RDS(ON)=1.20Ω@VGS=10V ●Lowgatecha | ESTEKEstek Electronics Co. Ltd 伊泰克电子北京伊泰克电子有限公司 |  | | |
7.4Amps,600/650VoltsN-CHANNELPOWERMOSFET ■DESCRIPTION TheUTC7N60isahighvoltageMOSFETandisdesignedtohavebettercharacteristics,suchasfastswitchingtime,lowgatecharge,lowon-stateresistanceandhaveahighruggedavalanchecharacteristics.ThispowerMOSFETisusuallyusedathighspeedswitchingapplicationsinswi | UTCYoushun Technology Co., Ltd 友顺友顺科技股份有限公司 |  | | |
7.4Amps,600VoltsN-CHANNELMOSFET ■DESCRIPTION TheUTC7N60isahighvoltagepowerMOSFETandisdesignedtohavebettercharacteristics,suchasfastswitchingtime,lowgatecharge,lowon-stateresistanceandhaveahighruggedavalanchecharacteristics.ThispowerMOSFETisusuallyusedathighspeedswitchingapplications | UTCYoushun Technology Co., Ltd 友顺友顺科技股份有限公司 | | | |
7A600VN-channelEnhancementModePowerMOSFET 文件：898.89 Kbytes Page：11 Pages | WXDHJiangsu Donghai Semiconductor Technology Co.,Ltd 东海半导体江苏东海半导体科技有限公司 |  | |
AOTF7N60产品属性
- 类型
描述
- 型号
AOTF7N60
- 功能描述
MOSFET N-CH 600V 7A TO220F
- RoHS
是
- 类别
分离式半导体产品 >> FET - 单
- 系列
-
- 标准包装
1,000
- 系列
MESH OVERLAY™ FET
- 型
MOSFET N 通道，金属氧化物 FET
- 特点
逻辑电平门
- 漏极至源极电压(Vdss)
200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25°
- C
18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°
- C
180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的
- Vgs(th)（最大）
4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @
- Vgs
72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @
- Vds
1560pF @ 25V 功率 -
- 最大
40W
- 安装类型
通孔
- 封装/外壳
TO-220-3 整包
- 供应商设备封装
TO-220FP
- 包装
管件
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
AOS |
2016+ |
TO-220F |
6000 |
公司只做原装,假一罚十,可开17%增值税发票! |
|||
Alpha & Omega Semiconductor In |
24+ |
TO-220F |
30000 |
晶体管-分立半导体产品-原装正品 |
|||
AOS |
2016+ |
TO-220F |
6528 |
房间原装进口现货假一赔十 |
|||
AOS |
22+ |
NA |
6878 |
加我QQ或微信咨询更多详细信息, |
|||
ALPHA |
2020+ |
TO-220F |
350000 |
100%进口原装正品公司现货库存 |
|||
AOS |
原厂封装 |
285 |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
||||
AOS/Alpha & Omega Semiconducto |
21+ |
TO-220F |
535 |
优势代理渠道,原装正品,可全系列订货开增值税票 |
|||
Alpha & Omega Semiconductor In |
21+ |
TO2203 |
13880 |
公司只售原装,支持实单 |
|||
VB |
TO-220FP |
68900 |
原包原标签100%进口原装常备现货! |
||||
AOS/万代 |
22+ |
TO-220F |
12245 |
现货,原厂原装假一罚十! |
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AOTF7N60规格书下载地址
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