型号 功能描述 生产厂家 企业 LOGO 操作
AOTF298L

100V N-Channel MOSFET

General Description The AOT298L & AOB298L & AOTF298L uses Trench MOSFET technology that is uniquely optimized to provide the most efficient high frequency switching performance. Power losses are minimized due to an extremely low combination of RDS(ON) and Crss. In addition, switch

AOSMD

万国半导体

AOTF298L

N-Channel 100-V (D-S) MOSFET

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VBSEMI

微碧半导体

AOTF298L

isc N-Channel MOSFET Transistor

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ISC

无锡固电

AOTF298L

MOSFET:N-Channel

AOS

美国万代

SOFT RECOVERY PLASTIC RECTIFIER(VOLTAGE - 100 to 800 Volts CURRENT - 2.0 Amperes)

VOLTAGE 50 to 1000 Volts CURRENT 2.0 Amperes FEATURES • High current capability. • Plastic package has Underwriters Laboratory Flammability Classification 94V-O • Void-free molded plastic package • Exceeds environmental standards of MIL-S-19500/228 • Fast switching for high efficiency. • In

PANJIT

強茂

Silicon Complementary Transistors Audio Amplifier, Driver

Features: ● High Collector–Emitter Voltage ● Ideal for 25 – 30W Low–Frequency Output Drive

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国半

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NSC

国半

AOTF298L产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    AOTF298L

  • 功能描述

    MOSFET N-CH 100V 33A TO220F

  • RoHS

  • 类别

    分离式半导体产品 >> FET - 单

  • 系列

    -

  • 标准包装

    1,000

  • 系列

    MESH OVERLAY™ FET

  • MOSFET N 通道,金属氧化物 FET

  • 特点

    逻辑电平门

  • 漏极至源极电压(Vdss)

    200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25°

  • C

    18A 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25°

  • C

    180 毫欧 @ 9A,10V Id 时的

  • Vgs(th)(最大)

    4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @

  • Vgs

    72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @

  • Vds

    1560pF @ 25V 功率 -

  • 最大

    40W

  • 安装类型

    通孔

  • 封装/外壳

    TO-220-3 整包

  • 供应商设备封装

    TO-220FP

  • 包装

    管件

更新时间:2026-3-16 20:00:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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