位置：首页 > IC中文资料第5384页 > AOTF13N50
| 型号 | 功能描述 | 生产厂家 企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
AOTF13N50 | isc N-Channel MOSFET Transistor 文件：296.27 Kbytes Page：2 Pages | ISC 无锡固电 |   | |
AOTF13N50 | 500V, 13A N-Channel MOSFET 文件：165.04 Kbytes Page：6 Pages | AOSMD 万国半导体 | | |
AOTF13N50 | 高压MOSFET (500V - 1000V) | AOS 美国万代 | | |
Drain Current ID= 13A@ TC=25C 文件：136.32 Kbytes Page：2 Pages | ISC 无锡固电 | | ||
500V N-CHANNEL MOSFET 文件：167.88 Kbytes Page：6 Pages | UTC 友顺 | | ||
500V N-CHANNEL MOSFET 文件：178.55 Kbytes Page：6 Pages | UTC 友顺 | | ||
13A, 500V N-CHANNEL POWER MOSFET 文件：221.76 Kbytes Page：6 Pages | UTC 友顺 | | ||
13A 500V N-channel enhanced field effect transistor 文件：849.02 Kbytes Page：5 Pages | YFWDIODE 佑风微 | |
AOTF13N50产品属性
- 类型
描述
- 型号
AOTF13N50
- 功能描述
MOSFET N-CH 500V 13A TO220F
- RoHS
是
- 类别
分离式半导体产品 >> FET - 单
- 系列
-
- 标准包装
1,000
- 系列
MESH OVERLAY™ FET
- 型
MOSFET N 通道，金属氧化物 FET
- 特点
逻辑电平门
- 漏极至源极电压(Vdss)
200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25°
- C
18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°
- C
180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的
- Vgs(th)（最大）
4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @
- Vgs
72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @
- Vds
1560pF @ 25V 功率 -
- 最大
40W
- 安装类型
通孔
- 封装/外壳
TO-220-3 整包
- 供应商设备封装
TO-220FP
- 包装
管件
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
AOS/万代 |
24+ |
NA/ |
97 |
优势代理渠道,原装正品,可全系列订货开增值税票 |
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AOS/万代 |
25+ |
TO-220F |
54558 |
百分百原装现货 实单必成 欢迎询价 |
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AOS |
21+ |
TO-220属封 |
10 |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
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AOS/万代 |
22+ |
TO220F |
25000 |
AOS/万代全系列在售 |
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AOS/万代 |
25+ |
TO-220F |
45000 |
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AOS/万代 |
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TO-220F |
330000 |
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AOS/万代 |
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原装正品代理渠道价格优势 |
AOTF13N50规格书下载地址
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