型号 功能描述 生产厂家 企业 LOGO 操作
AOT8N60

600V, 8A N-Channel MOSFET

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AOSMD

万国半导体

AOT8N60

isc N-Channel MOSFET Transistor

文件:306.22 Kbytes Page:2 Pages

ISC

无锡固电

AOT8N60

N-Channel 650V (D-S) Power MOSFET

文件:1.10566 Mbytes Page:10 Pages

VBSEMI

微碧半导体

AOT8N60

MOSFET:N-Channel

AOS

美国万代

7.5 Amps, 600/650 Volts N-CHANNEL POWER MOSFET

DESCRIPTION The UTC 8N60 is a high voltage and high current power MOSFET, designed to have better characteristics, such as fast switching time, low gate charge, low on-state resistance and have a high rugged avalanche characteristics. This power MOSFET is usually used at high speed switching ap

UTC

友顺

isc N-Channel Mosfet Transistor

·FEA TURES ·Drain Current –ID= 7.5A@TC=25℃ ·Drain Source Voltage-: VDSS= 600V(Min) ·Static Drain-SourceOn-Resistance : RDS(on) = 1.2Ω(Max) ·Avalanche Energy Specified ·Fast Switching ·Simple Drive Requirements ·DESCRITION ·Designed for high effi

ISC

无锡固电

7.5 Amps, 600/650 Volts N-CHANNEL POWER MOSFET

文件:217.21 Kbytes Page:8 Pages

UTC

友顺

N-CHANNEL POWER MOSFET

文件:473.72 Kbytes Page:7 Pages

ZSELEC

淄博圣诺

8A 600V N-channel Enhancement Mode Power MOSFET

文件:879.04 Kbytes Page:12 Pages

WXDH

东海半导体

AOT8N60产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    AOT8N60

  • 功能描述

    MOSFET N-CH 600V 8A TO-220

  • RoHS

  • 类别

    分离式半导体产品 >> FET - 单

  • 系列

    -

  • 标准包装

    1,000

  • 系列

    MESH OVERLAY™ FET

  • MOSFET N 通道,金属氧化物 FET

  • 特点

    逻辑电平门

  • 漏极至源极电压(Vdss)

    200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25°

  • C

    18A 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25°

  • C

    180 毫欧 @ 9A,10V Id 时的

  • Vgs(th)(最大)

    4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @

  • Vgs

    72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @

  • Vds

    1560pF @ 25V 功率 -

  • 最大

    40W

  • 安装类型

    通孔

  • 封装/外壳

    TO-220-3 整包

  • 供应商设备封装

    TO-220FP

  • 包装

    管件

更新时间:2026-1-27 15:01:00
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