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位置：首页 > IC中文资料第998页 > AOT12N30

型号 功能描述 生产厂家&企业 LOGO 操作
AOT12N30

300V,11.5AN-ChannelMOSFET

GeneralDescription TheAOT12N30/AOTF12N30isfabricatedusinganadvancedhighvoltageMOSFETprocessthatisdesignedtodeliverhighlevelsofperformanceandrobustnessinpopularAC-DCapplications.ByprovidinglowRDS(on),CissandCrssalongwithguaranteedavalanchecapabilitythisparts

AOSMDAlpha & Omega Semiconductors

万国半导体美国万国半导体

AOSMD
AOT12N30

iscN-ChannelMOSFETTransistor

文件：305.51 Kbytes Page：2 Pages

ISCInchange Semiconductor Company Limited

无锡固电无锡固电半导体股份有限公司

ISC
AOT12N30

N-Channel650V(D-S)MOSFET

文件：1.03218 Mbytes Page：8 Pages

VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd

微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司

VBSEMI
AOTF12N30

300V,11.5AN-ChannelMOSFET

GeneralDescription TheAOT12N30/AOTF12N30isfabricatedusinganadvancedhighvoltageMOSFETprocessthatisdesignedtodeliverhighlevelsofperformanceandrobustnessinpopularAC-DCapplications.ByprovidinglowRDS(on),CissandCrssalongwithguaranteedavalanchecapabilitythisparts

AOSMDAlpha & Omega Semiconductors

万国半导体美国万国半导体

AOSMD
12N30

12A,300VN-CHANNELPOWERMOSFET

文件：164.53 Kbytes Page：5 Pages

UTCUnisonic Technologies

友顺友顺科技股份有限公司

UTC

AOT12N30产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    AOT12N30

  • 功能描述

    MOSFET N CH 300V 11.5A TO220

  • RoHS

    是

  • 类别

    分离式半导体产品 >> FET - 单

  • 系列

    -

  • 标准包装

    1,000

  • 系列

    MESH OVERLAY™ FET

  • 型

    MOSFET N 通道，金属氧化物 FET

  • 特点

    逻辑电平门

  • 漏极至源极电压(Vdss)

    200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25°

  • C

    18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°

  • C

    180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的

  • Vgs(th)（最大）

    4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @

  • Vgs

    72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @

  • Vds

    1560pF @ 25V 功率 -

  • 最大

    40W

  • 安装类型

    通孔

  • 封装/外壳

    TO-220-3 整包

  • 供应商设备封装

    TO-220FP

  • 包装

    管件

AOT12N30供应商更多...

更新时间：2025-5-30 16:03:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
深圳市金华微盛电子有限公司
AOT12N30
AOS/万代
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TO220
6700
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深圳市科芯源微电子有限公司
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AOS/ 万代
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TO-220
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深圳市航润创能电子集团有限公司
AOT12N30T12N30
AOS
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AOT12N30T12N30
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AOT12N30LMOS(场效应管)
AO/万代
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AOT12N30
AOS/ 万代
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深圳市得捷芯城科技有限公司
AOT12N30L
AO/万代
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