型号 功能描述 生产厂家 企业 LOGO 操作
AOT1100L

100V N-Channel Rugged Planar MOSFET

General Description The AOT1100L/AOB1100L uses a robust technology that is designed to provide efficient and reliable power conversion even in the most demanding applications, including motor control. With low RDS(ON) and excellent thermal capability this device is appropriate for high current sw

AOSMD

万国半导体

AOT1100L

isc N-Channel MOSFET Transistor

文件:303.58 Kbytes Page:2 Pages

ISC

无锡固电

AOT1100L

N-Channel MOSFET uses advanced trench technology

文件:1.64517 Mbytes Page:5 Pages

DOINGTER

杜因特

AOT1100L

MOSFET:N-Channel

AOS

美国万代

1098 & 1100 Siphons

FEATURES Dissipates elevated live steam temperature Rugged design for direct mounting Reduces process temperature to protect attached instrument

ASHCROFT

雅斯科

Vinyl Corrosion Protection Tape

文件:28.73 Kbytes Page:2 Pages

3M

1100 Series Disposable Ear Plugs

文件:303.42 Kbytes Page:2 Pages

3M

KNOB

文件:76.59 Kbytes Page:1 Pages

ETCList of Unclassifed Manufacturers

未分类制造商

RF WIDEBAND TRANSFORMERS

文件:30.52 Kbytes Page:1 Pages

XFMRS

AOT1100L产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    AOT1100L

  • 功能描述

    MOSFET N CH 100V 92A TO220

  • RoHS

  • 类别

    分离式半导体产品 >> FET - 单

  • 系列

    -

  • 标准包装

    1,000

  • 系列

    MESH OVERLAY™ FET

  • MOSFET N 通道,金属氧化物 FET

  • 特点

    逻辑电平门

  • 漏极至源极电压(Vdss)

    200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25°

  • C

    18A 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25°

  • C

    180 毫欧 @ 9A,10V Id 时的

  • Vgs(th)(最大)

    4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @

  • Vgs

    72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @

  • Vds

    1560pF @ 25V 功率 -

  • 最大

    40W

  • 安装类型

    通孔

  • 封装/外壳

    TO-220-3 整包

  • 供应商设备封装

    TO-220FP

  • 包装

    管件

更新时间:2025-12-24 17:01:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
AOS/万代
21+
TO-220
330000
优势供应 实单必成 可13点增值税
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TO-220
19296
公司现货库存 支持实单
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