型号 功能描述 生产厂家 企业 LOGO 操作
AON4407

Plastic Encapsulated Device

文件:30.53 Kbytes Page:3 Pages

AOSMD

万国半导体

AON4407

P沟道MOSFET (8V - 60V)

AOS

美国万代

P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor

General Description The AON4407L uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON), low gate charge and operation with gate voltages as low as 1.8V. This device is suitable for use as a load switch. -RoHS Compliant -Halogen Free Features VDS (V) = -12V ID = -9 A (VGS = -4.5V

AOSMD

万国半导体

P-Channel Enhancement Mode MOSFET

文件:459.69 Kbytes Page:4 Pages

HOTTECH

合科泰

P-Channel 30-V (D-S) MOSFET

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VBSEMI

微碧半导体

Push Rivet-Arrow

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HEYCO

Adafruit MLX90640 IR Thermal Camera Breakout - 55 Degree

文件:1.07172 Mbytes Page:3 Pages

ADAFRUIT

30V P-Channel Increased MOS FET

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FUMAN

富满微

AON4407产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    AON4407

  • 功能描述

    MOSFET P-CH 12V 9A 8DFN

  • RoHS

  • 类别

    分离式半导体产品 >> FET - 单

  • 系列

    -

  • 标准包装

    1,000

  • 系列

    MESH OVERLAY™ FET

  • MOSFET N 通道,金属氧化物 FET

  • 特点

    逻辑电平门

  • 漏极至源极电压(Vdss)

    200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25°

  • C

    18A 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25°

  • C

    180 毫欧 @ 9A,10V Id 时的

  • Vgs(th)(最大)

    4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @

  • Vgs

    72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @

  • Vds

    1560pF @ 25V 功率 -

  • 最大

    40W

  • 安装类型

    通孔

  • 封装/外壳

    TO-220-3 整包

  • 供应商设备封装

    TO-220FP

  • 包装

    管件

更新时间:2026-1-28 9:09:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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公司只有原装 欢迎来电咨询。
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23+
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