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AOK40B120P1

1200V, 40A Alpha IGBT TM With Soft and Fast Recovery Anti-Parallel Diode

General Description • 1200V latest Alpha IGBT (αIGBT) technology • Very low VCE(sat) • High short-circuit ruggedness • Very low turn-on EMI • Easy paralleling capability • Low gate charge Qg • High efficiency and ruggedness in hard switching converters • Maximum junction temperature 175°C

AOSMD

万国半导体

更新时间:2025-8-18 23:01:00
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