型号 功能描述 生产厂家 企业 LOGO 操作
AOD421

P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transisto

General Description The AOD421 uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON), low gate charge and operation with gate voltages as low as 2.5V. This device is suitable for load switching. It is ESD protected. Standard Product AOD421 is Pb-free (meets ROHS & Sony 259 specificat

AOSMD

万国半导体

AOD421

isc P-Channel MOSFET Transistor

DESCRIPTION • Designed for use in switch mode power supplies and general purpose applications. FEATURES • Drain Current –ID= -12.5A@ TC=25℃ • Drain Source Voltage- : VDSS= -20V(Min) • Static Drain-Source On-Resistance : RDS(on) = 75mΩ (Max) • 100 avalanche tested • Minimum Lot-t

ISC

无锡固电

AOD421

P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor

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AOSMD

万国半导体

AOD421

MOSFET:P-Channel

AOS

美国万代

P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor

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AOSMD

万国半导体

MAGNETIC-LATCHING ESTABLISHED RELIABILITY TO-5 RELAYS

文件:246.85 Kbytes Page:6 Pages

WILLOW

421 LED board-to-board connector

文件:333.58 Kbytes Page:1 Pages

DBLECTRO

Capacity (20-hour) 56Ah

文件:226.02 Kbytes Page:1 Pages

GSYUASABATTERY

MAGNETIC-LATCHING ESTABLISHED RELIABILITY TO-5 RELAYS

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WILLOW

MAGNETIC-LATCHING ESTABLISHED RELIABILITY TO-5 RELAYS

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WILLOW

AOD421产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    AOD421

  • 功能描述

    MOSFET P-CH 20V 12.5A TO252

  • RoHS

  • 类别

    分离式半导体产品 >> FET - 单

  • 系列

    -

  • 标准包装

    1,000

  • 系列

    MESH OVERLAY™ FET

  • MOSFET N 通道,金属氧化物 FET

  • 特点

    逻辑电平门

  • 漏极至源极电压(Vdss)

    200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25°

  • C

    18A 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25°

  • C

    180 毫欧 @ 9A,10V Id 时的

  • Vgs(th)(最大)

    4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @

  • Vgs

    72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @

  • Vds

    1560pF @ 25V 功率 -

  • 最大

    40W

  • 安装类型

    通孔

  • 封装/外壳

    TO-220-3 整包

  • 供应商设备封装

    TO-220FP

  • 包装

    管件

更新时间:2025-11-26 20:00:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
AOS/万代
25+
TO-252
54558
百分百原装现货 实单必成 欢迎询价
AOS/万代
24+
DPAK
990000
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50000
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21+
TO-252
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优势供应 实单必成 可13点增值税

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