型号 功能描述 生产厂家&企业 LOGO 操作
AOB12N50

500V,12AN-ChannelMOSFET

GeneralDescription TheAOT12N50&AOB12N50&AOTF12N50havebeenfabricatedusinganadvancedhighvoltageMOSFETprocessthatisdesignedtodeliverhighlevelsofperformanceandrobustnessinpopularAC-DCapplications.ByprovidinglowRDS(on),CissandCrssalongwithguaranteedav

AOSMDAlpha & Omega Semiconductors

万国半导体美国万国半导体

AOSMD
AOB12N50

500V,12AN-ChannelMOSFET

GeneralDescription TheAOT12N50&AOB12N50&AOTF12N50havebeenfabricatedusinganadvancedhighvoltageMOSFETprocessthatisdesignedtodeliverhighlevelsofperformanceandrobustnessinpopularAC-DCapplications.ByprovidinglowRDS(on),CissandCrssalongwithguaranteedav

AOSMDAlpha & Omega Semiconductors

万国半导体美国万国半导体

AOSMD
AOB12N50

iscN-ChannelMOSFETTransistor

文件:297.12 Kbytes Page:2 Pages

ISCInchange Semiconductor Company Limited

无锡固电无锡固电半导体股份有限公司

ISC
AOB12N50

N-Channel650V(D-S)MOSFET

文件:1.03888 Mbytes Page:8 Pages

VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd

微碧半导体微碧半导体(台湾)有限公司

VBSEMI

500V,12AN-ChannelMOSFET

GeneralDescription TheAOT12N50&AOB12N50&AOTF12N50havebeenfabricatedusinganadvancedhighvoltageMOSFETprocessthatisdesignedtodeliverhighlevelsofperformanceandrobustnessinpopularAC-DCapplications.ByprovidinglowRDS(on),CissandCrssalongwithguaranteedav

AOSMDAlpha & Omega Semiconductors

万国半导体美国万国半导体

AOSMD

N-Channel650V(D-S)MOSFET

文件:1.03892 Mbytes Page:8 Pages

VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd

微碧半导体微碧半导体(台湾)有限公司

VBSEMI

12Amps,500VoltsN-CHANNELPOWERMOSFET

DESCRIPTION TheUTC12N50isanN-channelmodepowerMOSFETusingUTC’sadvancedtechnologytoprovidecustomerswithplanarstripeandDMOStechnology.Thistechnologyallowsaminimumon-stateresistanceandsuperiorswitchingperformance.Italsocanwithstandhighenergypulseintheavalanch

UTCYoushun Technology Co., Ltd

友顺友顺科技股份有限公司

UTC

FastSwitching

•FEATURES •DrainCurrentID=12A@TC=25℃ •DrainSourceVoltage- :VDSS=500V(Min) •StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=0.5Ω(Max) •FastSwitching •APPLICATIONS •Switchmodepowersupply.

ISCInchange Semiconductor Company Limited

无锡固电无锡固电半导体股份有限公司

ISC

PowerMOSFETs

FEATURES •LowFigure-of-MeritRonxQg •100AvalancheTested •GateChargeImproved •Trr/QrrImproved •ComplianttoRoHSDirective2002/95/EC

VishayVishay Siliconix

威世科技

Vishay

12A,500VN-CHANNELPOWERMOSFET

文件:167.59 Kbytes Page:6 Pages

UTCYoushun Technology Co., Ltd

友顺友顺科技股份有限公司

UTC

N-Channel650V(D-S)MOSFET

文件:1.039369 Mbytes Page:8 Pages

VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd

微碧半导体微碧半导体(台湾)有限公司

VBSEMI

AOB12N50产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    AOB12N50

  • 功能描述

    MOSFET N-CH 500V 12A TO263

  • RoHS

  • 类别

    分离式半导体产品 >> FET - 单

  • 系列

    -

  • 标准包装

    1,000

  • 系列

    MESH OVERLAY™ FET

  • MOSFET N 通道,金属氧化物 FET

  • 特点

    逻辑电平门

  • 漏极至源极电压(Vdss)

    200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25°

  • C

    18A 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25°

  • C

    180 毫欧 @ 9A,10V Id 时的

  • Vgs(th)(最大)

    4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @

  • Vgs

    72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @

  • Vds

    1560pF @ 25V 功率 -

  • 最大

    40W

  • 安装类型

    通孔

  • 封装/外壳

    TO-220-3 整包

  • 供应商设备封装

    TO-220FP

  • 包装

    管件

更新时间:2024-5-15 20:19:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
AOS/万代
10+
TO-263
62
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力
AOS/万代
22+
TO263
25000
AOS/万代全系列在售
AOS/万代
22+21+
TO-263
22800
16年电子元件现货供应商 终端BOM表可配单提供样品
VB
23+
TO-263
5000
原装正品,假一罚十!
AOS/万代
14PB
TO-263
400
AOS
2023+
SC70-6
80000
一级代理/分销渠道价格优势 十年芯程一路只做原装正品
VBSEMI
19+
TO-263
29600
绝对原装现货,价格优势!
AOS/万代
23+
NA/
62
优势代理渠道,原装正品,可全系列订货开增值税票
AOS
23+
TO-263
700000
公主请下单 柒号只做原装
AOS/万代
TO-263
265209
假一罚十原包原标签常备现货!

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