| 型号 | 功能描述 | 生产厂家 企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
AOB10N60L | N-Channel 650V (D-S)Power MOSFET 文件：1.10587 Mbytes Page：10 Pages | VBSEMI 微碧半导体 |   | |
10 Amps, 600/650 Volts N-CHANNEL POWER MOSFET DESCRIPTION The UTC 10N60 is a high voltage and high current power MOSFET, designed to have better characteristics, such as fast switching time, low gate charge, low on-state resistance and have a high rugged avalanche characteristics. This power MOSFET is usually used at high speed switching a | UTC 友顺 | | ||
N-Channel 6 50V (D-S) Power MOSFET 文件：2.17857 Mbytes Page：10 Pages | VBSEMI 微碧半导体 | | ||
N-Channel 650V (D-S) Power MOSFET 文件：2.33382 Mbytes Page：11 Pages | VBSEMI 微碧半导体 | | ||
10A 600V N-channel Enhancement Mode Power MOSFET 文件：976.2 Kbytes Page：11 Pages | WXDH 东海半导体 | | ||
10 Amps, 600/650 Volts N-CHANNEL POWER MOSFET 文件：330.13 Kbytes Page：8 Pages | UTC 友顺 | |
AOB10N60L产品属性
- 类型
描述
- 型号
AOB10N60L
- 功能描述
MOSFET N-CH 600V 10A TO263
- RoHS
是
- 类别
分离式半导体产品 >> FET - 单
- 系列
-
- 标准包装
1,000
- 系列
MESH OVERLAY™ FET
- 型
MOSFET N 通道，金属氧化物 FET
- 特点
逻辑电平门
- 漏极至源极电压(Vdss)
200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25°
- C
18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°
- C
180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的
- Vgs(th)（最大）
4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @
- Vgs
72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @
- Vds
1560pF @ 25V 功率 -
- 最大
40W
- 安装类型
通孔
- 封装/外壳
TO-220-3 整包
- 供应商设备封装
TO-220FP
- 包装
管件
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
AOS/万代 |
2019+ |
TO-263 |
3470 |
原厂渠道 可含税出货 |
|||
24+ |
N/A |
75000 |
一级代理-主营优势-实惠价格-不悔选择 |
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AOS/万代 |
24+ |
TO-263 |
333888 |
AOS原厂代理商渠道/优势现货 |
|||
AOS/万代 |
23+ |
TO-263 |
50000 |
全新原装正品现货,支持订货 |
|||
AOS/万代 |
25+ |
TO-263 |
54558 |
百分百原装现货 实单必成 欢迎询价 |
|||
AOS/ 万代 |
24+ |
TO-263 |
17373 |
公司现货库存 支持实单 |
|||
AOS/万代 |
23+ |
TO-263 |
5000 |
原厂授权代理,海外优势订货渠道。可提供大量库存,详 |
|||
AOS/万代 |
11+ |
TO-263 |
11800 |
||||
AOS/万代 |
23+ |
TO-263 |
24190 |
原装正品代理渠道价格优势 |
|||
AOS/万代 |
21+ |
TO-263 |
30000 |
优势供应 实单必成 可13点增值税 |
AOB10N60L规格书下载地址
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2021-1-12
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