AO6602L价格

参考价格:¥1.1736

型号:AO6602L 品牌:Alpha 备注:这里有AO6602L多少钱,2025年最近7天走势,今日出价,今日竞价,AO6602L批发/采购报价,AO6602L行情走势销售排行榜,AO6602L报价。
型号 功能描述 生产厂家 企业 LOGO 操作
AO6602L

Complementary Enhancement Mode Field Effect Transistor

General Description The AO6602 uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON) and low gate charge. The complementary MOSFETs form a high-speed power inverter, suitable for a multitude of applications. Standard Product AO6602 is Pb-free (meets ROHS & Sony 259 specifications). AO6

AOSMD

万国半导体

PHASE SHIFTER DC TO 2, 4 AND 8 GHZ, COAXIAL HIGH POWER

FEATURES • Type N Connectors Standard • Options from DC to 8Ghz • High Power, Trombone Style Coaxial Structure • Military Grade Materials and Processing • -40 to + 125º C Operating Temperature Range

FILTRONIC

PHASE SHIFTER DC TO 2, 4 AND 8 GHz, COAXIAL HIGH POWER

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APITECH

N-Channel Super Trench Power MOSFET

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ACE

N-Channel Super Trench Power MOSFET

文件:874.32 Kbytes Page:6 Pages

ACE

1550 MHz to 2150 MHz Rx Mixer with Integrated Fractional-N PLL and VCO

文件:517.82 Kbytes Page:24 Pages

AD

亚德诺

AO6602L产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    AO6602L

  • 功能描述

    MOSFET N/P-CH COMPL 30V 6-TSOP

  • RoHS

  • 类别

    分离式半导体产品 >> FET - 阵列

  • 系列

    -

  • 产品目录绘图

    8-SOIC Mosfet Package

  • 标准包装

    1

  • 系列

    - FET

  • 2 个 N 沟道(双) FET

  • 特点

    逻辑电平门

  • 漏极至源极电压(Vdss)

    60V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25°

  • C

    3A 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25°

  • C

    75 毫欧 @ 4.6A,10V Id 时的

  • Vgs(th)(最大)

    3V @ 250µA 闸电荷(Qg) @

  • Vgs

    20nC @ 10V 输入电容(Ciss) @

  • Vds

    - 功率 -

  • 最大

    1.4W

  • 安装类型

    表面贴装

  • 封装/外壳

    PowerPAK? SO-8

  • 供应商设备封装

    PowerPAK? SO-8

  • 包装

    Digi-Reel®

  • 产品目录页面

    1664(CN2011-ZH PDF)

  • 其它名称

    SI7948DP-T1-GE3DKR

更新时间:2025-11-23 21:16:00
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SOT23-6
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