用于手势识别的高功率VCSELs

II-VI'的HVS7000产品系列采用了定制的AlN单腔封装，带有一个凹陷的腔体，以稳健地集成一个光学器件，如扩散器。该系列与Finisar的高功率二维阵列VCSEL裸片一起，均通过AECQ和Jedec认证。 在-40°C至+125°C的工作温度下性能稳定，加上一流的可靠性和寿命，使II-VI VCSEL适用于任何行业。有多种产品可供选择，从适合准CW操作的产品到专门为飞行时间(ToF)应用提供最高峰值功率密度的器件。 HVS7000-004具有大于2W的CW，其脉冲宽度小于10ns，占空比小于1%，能达到大于15W的峰值功率，并且具有110×85的宽广FOV。 • 940nm多模VCSEL\n• 氧化物隔离技术\n• 高效率\n• 10um光圈，30微米间距，537个发射器，采用3.5×3.5×1.6mm封装，带110×85度漫射器。\n• 箱体工作温度：-40℃至105℃。;

SILICON POWER TRANSISTORS 5 AMPERES 25 VOLTS 12.5 WATTS

SILICON POWER TRANSISTORS 5 AMPERES 25 VOLTS 12.5 WATTS MJD200 NPN MJD210 PNP NPN/PNP Silicon DPAK For Surface Mount Applications . . . designed for low voltage, low–power, high–gain audio amplifier applications. • Collector–Emitter Sustaining Voltage —VCEO(sus)= 25 Vdc (Min) @ IC= 10 mAdc

5 AMPERE POWER TRANSISTORS COMPLEMENTARY SILICON 25 VOLTS 15 WATTS

Complementary Silicon Power Plastic Transistors . . . designed for low voltage, low–power, high–gain audio amplifier applications. • Collector–Emitter Sustaining Voltage — VCEO(sus) = 25 Vdc (Min) @ IC = 10 mAdc • High DC Current Gain — hFE = 70 (Min) @ IC = 500 mAdc High

POWER RECTIFIERS(2.0A,500-1000V)

Surface Mount Ultrafast Power Rectifiers Ideally suite for high voltage, high frequency rectification, or as free wheeling and protection diodes in surface mount applications where compact size and weight are critical to the system.

POWER RECTIFIERS(2.0A,500-1000V)

Voltage Follower

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Integrated Circuit FM/AM IF Amp