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| 型号 | 功能描述 | 生产厂家 企业 | LOGO | 操作 |
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AMC1200SDUBRG4 | AMC1200/B Fully-Differential Isolation Amplifier 1 Features 1• ±250-mV Input Voltage Range Optimized for Shunt Resistors • Very Low Nonlinearity: 0.075% Maximum at 5 V • Low Offset Error: 1.5 mV Maximum • Low Noise: 3.1 mVRMS Typical • Low High-Side Supply Current: 8 mA Maximum at 5 V • Input Bandwidth: 60 kHz Minimum • Fixed Gain: | TI 德州仪器 |   | |
AMC1200/B Fully-Differential Isolation Amplifier 1 Features 1• ±250-mV Input Voltage Range Optimized for Shunt Resistors • Very Low Nonlinearity: 0.075% Maximum at 5 V • Low Offset Error: 1.5 mV Maximum • Low Noise: 3.1 mVRMS Typical • Low High-Side Supply Current: 8 mA Maximum at 5 V • Input Bandwidth: 60 kHz Minimum • Fixed Gain: | TI 德州仪器 | | ||
AMC1200/B Fully-Differential Isolation Amplifier 1 Features 1• ±250-mV Input Voltage Range Optimized for Shunt Resistors • Very Low Nonlinearity: 0.075% Maximum at 5 V • Low Offset Error: 1.5 mV Maximum • Low Noise: 3.1 mVRMS Typical • Low High-Side Supply Current: 8 mA Maximum at 5 V • Input Bandwidth: 60 kHz Minimum • Fixed Gain: | TI 德州仪器 | |
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
TI |
25+23+ |
DIP8 |
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TI |
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TI/德州仪器 |
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2022-4-13AMC1200TDWVRQ1
AMC1200TDWVRQ1
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