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SiliconNChannelPowerMOSFETwithSchottkyBarrierDiodePowerSwitching

Features •Highspeedswitching •Capableof4.5Vgatedrive •Lowdrivecurrent •Highdensitymounting •Lowon-resistance RDS(on)=1.8mΩtyp.(atVGS=10V) •Pb-free •Halogen-free

RENESASRenesas Electronics America

瑞萨瑞萨科技有限公司

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DC-ACINVERTERUNIT30WSIXFOLDOUTPUTSWITHDIMMINGFUNCTION

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POWER-SYSTEMSPower Systems GmbH+Co.KG

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DC-ACINVERTERUNIT30WSIXFOLDOUTPUTSWITHDIMMINGFUNCTION

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POWER-SYSTEMSPower Systems GmbH+Co.KG

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BuiltinSBDNChannelPowerMOSFETHighSpeedPowerSwitching

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SiliconNChannelPowerMOSFETwithSchottkyBarrierDiodePowerSwitching

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更新时间:2024-5-28 10:50:01
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