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AH8113TE3VR | HALL SWITH LOW POWER, HIGH SENSITIVITY, CMOS HALL SWITCH DESCRIPTION The AH8113 is an integrated hall-effect sensor designed specifically to meet the requirements of low-power devices. e.g. as an On/Off switch in Cellular Flip-Phones, with battery operating voltages of 1.65V-5.5V. Precise magnetic switching points and high temperature stability are ac | AITSEMI 创瑞科技 |   | |
HALL SWITH LOW POWER, HIGH SENSITIVITY, CMOS HALL SWITCH DESCRIPTION The AH8113 is an integrated hall-effect sensor designed specifically to meet the requirements of low-power devices. e.g. as an On/Off switch in Cellular Flip-Phones, with battery operating voltages of 1.65V-5.5V. Precise magnetic switching points and high temperature stability are ac | AITSEMI 创瑞科技 | |
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
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TI/德州仪器 |
23+ |
TSSOP |
15000 |
百分百进口原装环保整盘 |
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ALOGICS |
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十五年行业诚信经营,专注全新正品 |
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2012-12-7
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