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制造商: NXP
产品种类: 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
RoHS: 详细信息
晶体管极性: N-Channel
技术: Si
Id-连续漏极电流: 7.5 A
Vds-漏源极击穿电压: 40 V
工作频率: 136 MHz to 520 MHz
增益: 17.7 dB
输出功率: 33 W
最小工作温度: - 40 C
最大工作温度: + 150 C
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: TO-270-2
封装: Reel
封装: Cut Tape
封装: MouseReel
商标: NXP Semiconductors
配置: Single
湿度敏感性: Yes
通道数量: 1 Channel
Pd-功率耗散: 294 W
产品类型: RF MOSFET Transistors
系列: AFT05MS031N
工厂包装数量: 500
子类别: MOSFETs
晶体管类型: LDMOS FET
类型: RF Power MOSFET
Vgs - 栅极-源极电压: + 12 V
Vgs th-栅源极阈值电压: 2.6 V
零件号别名: 935325665528
单位重量: 529.550 mg
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