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AFT05MS006N

High Ruggedness N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFET

ETC

知名厂家

AFT05MS006N

136-941 MHz,6.0 W,7.5 V LDMOS宽带射频功率晶体管

ETC

知名厂家

High Ruggedness N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFET

ETC

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封装/外壳:PLD-1.5W 包装:托盘 描述:FET RF 30V 520MHZ PLD 分立半导体产品 晶体管 - FET,MOSFET - 射频

ETC

知名厂家

更新时间:2026-3-12 16:17:00
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