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| 型号 | 功能描述 | 生产厂家&企业 | LOGO | 操作 |
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ADM200N04G | N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor Features: ●LowGateChargeforFastSwitchingApplication ●LowRDS(ON)toMinimizeConductiveLoss ●100%EASGuaranteed ●OptimizedV(BR)DSSRuggedness ●Lead-Free,RoHSCompliant Description: TheADM200N04GseriesMOSFETsisanewtechnology,whichcombinesaninnovativesuperjunc | ADVAdvanced (Shenzhen) Electronics Co.,Ltd 爱德微爱德微(深圳)电子有限公司 |  |   |
N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor Features: ●LowGateChargeforFastSwitchingApplication ●LowRDS(ON)toMinimizeConductiveLoss ●100%EASGuaranteed ●OptimizedV(BR)DSSRuggedness ●Lead-Free,RoHSCompliant Description: TheADM200N04seriesMOSFETsisanewtechnology,whichcombinesaninnovativesuperjunct | ADVAdvanced (Shenzhen) Electronics Co.,Ltd 爱德微爱德微(深圳)电子有限公司 | | | |
N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor Features: ●LowGateChargeforFastSwitchingApplication ●LowRDS(ON)toMinimizeConductiveLoss ●100%EASGuaranteed ●OptimizedV(BR)DSSRuggedness ●Lead-Free,RoHSCompliant Description: TheADM200N04QusesadvancedtrenchtechnologyanddesigntoprovideexcellentRDS(ON)wit | ADVAdvanced (Shenzhen) Electronics Co.,Ltd 爱德微爱德微(深圳)电子有限公司 | | | |
N-ChannelPowerMOSFETN-KanalLeistungs-MOSFET Features Lowprofile,spacesavingpackage StandardLevelGateDriver Lowonstateresistance Fastswitchingtimes Lowgatecharge Avalancherated ComplianttoRoHS(exemp.7a) REACH,ConflictMinerals1) | DiotecDiotec Semiconductor 德欧泰克 |  | | |
N-ChannelEnhancementModePowerMosfet 文件：4.132149 Mbytes Page：7 Pages | FOSTERShenzhen Foster Semiconductor Co., Ltd. 福斯特半导体深圳市福斯特半导体有限公司 |  | |
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
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2019-3-27
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