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ADC3D10065I	650-V Direct WBG Diode Key Features: •SiC performance •Easy paralleling •High current carrying capability •Very low junction capacitance •Highly stable VFand QRRat elevated temperatures	ANALOGPOWER	ANALOGPOWER
C3D10065A	Silicon Carbide Schottky Diode Z-REC™ RECTIFIERS and ZERO-RECOVERY® RECTIFIERS SILICON CARBIDE Z-FET™ MOSFET	CREE 科锐	CREE
C3D10065A	Z-RecTM Rectifiers and Zero-Recovery짰 Rectifiers Z-REC™ RECTIFIERS and ZERO-RECOVERY® RECTIFIERS SILICON CARBIDE Z-FET™ MOSFET	CREE 科锐	CREE
C3D10065A	3rd Generation 650 V, 10 A Silicon Carbide Schottky Diode Description With the performance advantages of a Silicon Carbide (SiC) Schottky Barrier diode, power electronics systems can expect to meet higher efficiency standards than Si-based solutions, while also reaching higher frequencies and power densities. SiC diodes can be easily paralleled to m	WOLFSPEED	WOLFSPEED
C3D10065E	Silicon Carbide Schottky Diode 文件：1.09247 Mbytes Page：6 Pages	CREE 科锐	CREE

ADC3D10065I供应商更多...

更新时间：2026-3-1 21:25:00

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ADC161S626CIMM
进口代理
2023-8-17
ADC-318
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2023-5-19
ADC12J2700NKE
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2021-6-15
ADCH80A 射频IC 全新原装现货价格优。
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2021-2-19
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2019-12-27
ADCDS-1240ADCDS-1403EXADCDS-1405EX
ADCDS-1240
2019-12-9