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Dual N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor

FEATURES ● 50V, 3A, RDS(ON) = 130mΩ @VGS = 10V. RDS(ON) = 200mΩ @VGS = 4.5V. ● Super high dense cell design for extremely low RDS(ON). ● High power and current handing capability. ● Surface Mount Package.

CET

华瑞

Dual N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor

General Description SO-8 N-Channel enhancement mode power field effect transistors are produced using Fairchilds proprietary, high cell density, DMOS technology. This very high density process is especially tailored to provide superior switching performance and minimize on-state resistance. These

FAIRCHILD

仙童半导体

16-channel Fm I2C-bus 57 mA/20 V constant current LED driver

ETC

知名厂家

Dual N-Channel Enhancement Mode MOSFET

文件:246.96 Kbytes Page:3 Pages

FAIRCHILD

仙童半导体

Triple 8-bit analog-to-digital video converter for HDTV

ETC

知名厂家

更新时间:2026-3-15 23:00:01
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
TI
24+
QFN
10000
公司现货库存,支持实单
VB
2026+
S0P8
5062
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24+
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