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ACE17313B

N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET

Description ACE17313B uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. This device is suitable for use in PWM, load switching and general-purpose applications. Features ⚫ VDS=30V ⚫ ID=100A ⚫ RDS(ON)@VGS=10V, IDS=20A, TYP 3.5mΩ ⚫ RDS(ON)@VGS=4.5

ACE

ACE17313B

MOSFET

ETC

知名厂家

N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET

Description ACE17313B uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. This device is suitable for use in PWM, load switching and general-purpose applications. Features ⚫ VDS=30V ⚫ ID=100A ⚫ RDS(ON)@VGS=10V, IDS=20A, TYP 3.5mΩ ⚫ RDS(ON)@VGS=4.5

ACE

IESNA Type III (medium) beam with excellent back light control

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LEDIL

Evaluation Kits

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更新时间:2025-10-24 23:00:00
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