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isc N-Channel MOSFET Transistor

FEATURES ·Drain Current : ID= 100A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage : VDSS= 40V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance : RDS(on) = 2.9mΩ(Max) @ VGS= 10V ·100 avalanche tested ·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRIPTION ·motor drive, DC-

ISC

无锡固电

SCAN TEST DEVICE WITH 18-BIT REGISTERED BUS TRANSCEIVER

文件:433.54 Kbytes Page:30 Pages

TI

德州仪器

40-V, N-Channel NexFET Power MOSFETs

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TI

德州仪器

184.8MHz SAW Filter 1.6MHz Bandwidth

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SIPAT

胜普电子

BiCMOS PFC/PWM Combination Controller

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TI

德州仪器

更新时间:2026-5-24 10:06:01
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