| 型号 | 功能描述 | 生产厂家 企业 | LOGO | 操作 |
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Integrated Circuit NMOS, 1K Static RAM (SRAM), 350ns Description: The NTE2101 is a high–speed 1024 x 1 bit static random access read/write memory in a 16–Lead DIP type package designed using N–Channel depletion mode silicon gate technology. Static storage cells eliminate the need for clock or refresh circuitry. Low threshold silicon gate N–Cha | NTE |   | ||
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ABF大涨价！这家日本“味精厂”，凭什么卡住全球AI芯片的脖子？
据摩根士丹利证券观察，ABF增层薄膜大厂日本味之素（Ajinomoto）已针对ABF增层薄膜涨价。味之素提出，将考量个别客户、包含终端客户的产品性能变化与成本变化，拟定涨价计划。此外，味之素也提出过去并未实施过因原料成本上升而推动的涨价，但本次表示，若有需要，将把原物料
2026-5-14ABLS7M-12.000MHZ-B-2-T
ABLS7M-12.000MHZ-B-2-T
2022-9-28ABA3115
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2021-9-10ABA3100RS3
ABA3100RS3
2021-9-10ABA3100R
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2021-9-10ABLIC/精工S8261系列锂电池保护ICS-8261BAM-M6T1U
联系人：刘冬英 电话：0755-83203002 手机：18138231376 QQ号：1546282226、微信号：18138231376 公司名称：深圳市光华微科技有限公司 Shenzhen Guanghua Micro Technology Co.， Ltd 公司地址：深圳市福田区振兴路华匀大厦1栋712室
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