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A201402CAAB

Single Row Terminal Blocks

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EATON

伊顿

Single Row Terminal Blocks

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EATON

伊顿

High Power RF LDMOS Field Effect Transistor

Description The PTFB201402FC integrates two 70 W LDMOS FETs into one open-cavity ceramic package. It is designed primarily for Doherty cellular amplifier applications in the 2010 to 2025 MHz frequency band. Manufactured with Infineon’s advanced LDMOS process, this device offers excellent thermal

Infineon

英飞凌

High Power RF LDMOS Field Effect Transistor 140 W, 28 V, 2010 - 2025 MHz

Description The PTFB201402FC integrates two 70 W LDMOS FETs into one open-cavity ceramic package. It is designed primarily for Doherty cellular amplifier applications in the 2010 to 2025 MHz frequency band. Manufactured with Wolfspeed’s advanced LDMOS process, this device offers excellent thermal

Cree

科锐

ALL DIMENSIONS IN MM [INCH]

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E-SWITCH

更新时间:2025-12-24 17:21:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
ASSMANNELECTRONICS
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26800
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Eaton - Electronics Division
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原装正品代理商最优惠价格 现货或订货

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  • A2106V

    A2106V,全新原装当天发货或门市自取0755-82732291.

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    A2106V-11,全新原装当天发货或门市自取0755-82732291.

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