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RF & MICROWAVE TRANSISTORS S-BAND RADAR APPLICATIONS

DESCRIPTION The AM82731-012 device is a high power silicon bipolar NPN transistor specifically designed for S-Band radar pulsed output and driver applications. ■ REFRACTORY/GOLD METALLIZATION ■ EMITTER SITE BALLASTED ■ LOW THERMAL RESISTANCE ■ INPUT/OUTPUT MATCHING ■ OVERLAY GEOMETRY ■ META

STMICROELECTRONICS

意法半导体

NPN RF POWER TRANSISTOR

DESCRIPTION: The AM82731-012 is a Common Base Device Designed for Pulsed S-Band Pulse output and driver Radar Amplifier Applications. FEATURES INCLUDE: • Input/Output Matching • Gold Metallization • Emitter Ballasting

ASI

更新时间:2025-12-31 21:38:01
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