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AM82731-012

RF & MICROWAVE TRANSISTORS S-BAND RADAR APPLICATIONS

DESCRIPTION The AM82731-012 device is a high power silicon bipolar NPN transistor specifically designed for S-Band radar pulsed output and driver applications. ■ REFRACTORY/GOLD METALLIZATION ■ EMITTER SITE BALLASTED ■ LOW THERMAL RESISTANCE ■ INPUT/OUTPUT MATCHING ■ OVERLAY GEOMETRY ■ META

STMICROELECTRONICS

意法半导体

AM82731-012

NPN RF POWER TRANSISTOR

DESCRIPTION: The AM82731-012 is a Common Base Device Designed for Pulsed S-Band Pulse output and driver Radar Amplifier Applications. FEATURES INCLUDE: • Input/Output Matching • Gold Metallization • Emitter Ballasting

ASI

AM82731-012

NPN RF POWER TRANSISTOR

ETC

知名厂家

AM82731-012

S-BAND RADAR APPLICATIONS RF & MICROWAVE TRANSISTORS

STMICROELECTRONICS

意法半导体

AM82731-012产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    AM82731-012

  • 制造商

    ASI

  • 制造商全称

    ASI

  • 功能描述

    NPN RF POWER TRANSISTOR

更新时间:2025-11-23 16:10:00
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