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isc N-Channel MOSFET Transistor

FEATURES ·Drain Current -ID= 80A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage -VDSS= 80V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance -RDS(on) =6.3mΩ(Max)@VGS= 10V DESCRIPTION ·Motor drive, DC-DC converter, power switch and solenoid drive.

ISC

无锡固电

High avalanche ruggedness

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STMICROELECTRONICS

意法半导体

N-channel 40 V, 5.5 m typ., 80 A STripFET VI DeepGATE Power MOSFET in DPAK

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STMICROELECTRONICS

意法半导体

N-Channel MOSFET uses advanced trench technology

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DOINGTER

杜因特

N-channel 40 V, 5.5 m typ., 80 A STripFET VI DeepGATE Power MOSFET in DPAK

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STMICROELECTRONICS

意法半导体

更新时间:2025-12-25 15:35:01
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