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N-Channel 4 -V (D-S) MOSFET

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VBSEMI

微碧半导体

N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor

Features: ● Low Gate Charge for Fast Switching Application ● Low RDS(ON) to Minimize Conductive Loss ● 100% EAS Guaranteed ● Optimized V(BR)DSS Ruggedness ● Lead-Free,RoHS Compliant Description: The ADM80N04Q uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with

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爱德微

N-Channel MOSFET uses advanced trench technology

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杜因特

N-Channel Power MOSFET

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JIANGSU

长电科技

N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET

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HMSEMI

华之美半导体

更新时间:2025-12-25 15:40:01
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