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Field Stop and trench IGBT

DESCRIPTION ·Low Saturation Voltage:VCE(sat)=2.0V@IC= 75A ·High Current Capability ·High Input Impedance ·Fast Switching APPLICATIONS ·Induction Heating,UPS ·AC & DC motor controls and general purpose inverters

ISC

无锡固电

IGBT

This Insulated Gate Bipolar Transistor (IGBT) features a robust and cost effective Field Stop (FS) Trench construction, and provides superior performance in demanding switching applications, offering both low on state voltage and minimal switching loss. Features • Extremely Efficient Trench w

ONSEMI

安森美半导体

IGBT - Field Stop II / 4 Lead

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安森美半导体

IGBT

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安森美半导体

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安森美半导体

更新时间:2025-8-14 20:21:01
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