| 型号 | 功能描述 | 生产厂家 企业 | LOGO | 操作 |
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IGBT This Insulated Gate Bipolar Transistor (IGBT) features a robust and cost effective Field Stop (FS) Trench construction, and provides superior performance in demanding switching applications, offering both low on state voltage and minimal switching loss. Features • Extremely Efficient Trench w | ONSEMI 安森美半导体 |   | ||
Field Stop and trench IGBT DESCRIPTION ·Low Saturation Voltage:VCE(sat)=2.0V@IC= 75A ·High Current Capability ·High Input Impedance ·Fast Switching APPLICATIONS ·Induction Heating,UPS ·AC & DC motor controls and general purpose inverters | ISC 无锡固电 | | ||
IGBT - Field Stop II / 4 Lead 文件：162.87 Kbytes Page：10 Pages | ONSEMI 安森美半导体 | | ||
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| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
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