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| 型号 | 功能描述 | 生产厂家&企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
74LVT10DB | 3.3VTriple3-inputNANDgate 3.3VTriple3-inputNANDgate | PhilipsROYAL PHILIPS 飞利浦荷兰皇家飞利浦 |  |   |
3.3VTriple3-inputNANDgate 3.3VTriple3-inputNANDgate | PhilipsROYAL PHILIPS 飞利浦荷兰皇家飞利浦 | | | |
封装/外壳：14-SSOP（0.209"，5.30mm 宽） 包装：管件 描述：IC GATE NAND 3CH 3-INP 14SSOP 集成电路（IC） 门和反相器 | nxpNXP Semiconductors 恩智浦恩智浦半导体公司 |  | | |
封装/外壳：14-SSOP（0.209"，5.30mm 宽） 包装：管件 描述：IC GATE NAND 3CH 3-INP 14SSOP 集成电路（IC） 门和反相器 | nxpNXP Semiconductors 恩智浦恩智浦半导体公司 | | | |
3.3VTriple3-inputNANDgate 3.3VTriple3-inputNANDgate | PhilipsROYAL PHILIPS 飞利浦荷兰皇家飞利浦 | | | |
3.3VTriple3-inputNANDgate 3.3VTriple3-inputNANDgate | PhilipsROYAL PHILIPS 飞利浦荷兰皇家飞利浦 | | | |
3.3VTriple3-inputNANDgate 3.3VTriple3-inputNANDgate | PhilipsROYAL PHILIPS 飞利浦荷兰皇家飞利浦 | | |
74LVT10DB产品属性
- 类型
描述
- 型号
74LVT10DB
- 功能描述
逻辑门 3.3V TRIPLE 3-INPUT NAND GATE
- RoHS
否
- 制造商
Texas Instruments
- 产品
OR
- 逻辑系列
LVC
- 栅极数量
2
- 线路数量（输入/输出）
2/1
- 高电平输出电流
- 16 mA
- 低电平输出电流
16 mA
- 传播延迟时间
3.8 ns
- 电源电压-最大
5.5 V
- 电源电压-最小
1.65 V
- 最大工作温度
+ 125 C
- 安装风格
SMD/SMT
- 封装/箱体
DCU-8
- 封装
Reel
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
NXP |
20+ |
SOP14 |
32970 |
原装优势主营型号-可开原型号增税票 |
|||
PHILIPS |
22+ |
TSSOP14 |
2940 |
⊙⊙新加坡大量现货库存,深圳常备现货!欢迎查询!⊙ |
|||
NXP |
22+ |
NA |
45000 |
加我QQ或微信咨询更多详细信息, |
|||
NXP |
21+ |
14SSOP |
13880 |
公司只售原装 支持实单 |
|||
TI |
23+ |
SOP14 |
1093 |
全新原装现货 |
|||
PHILIPS |
23+ |
SSOP |
12300 |
||||
NXP |
22+ |
14SSOP |
9000 |
原厂渠道,现货配单 |
|||
NXP |
23+ |
- |
6271 |
专注配单,只做原装进口现货 |
|||
NXP/恩智浦 |
22+ |
TSSOP14 |
3000 |
一级代理原厂VIP渠道,专注军工、汽车、医疗、工业、 |
|||
NXP USA Inc. |
21+ |
14-SSOP |
6697 |
正规渠道/品质保证/原装正品现货 |
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- 8024
- 7号电池
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- 7805
- 7756
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- 74-MF2A
- 74-MF1A
- 74LVX86
- 74LVX74
- 74LVX32
- 74LVX27
- 74LVX20
- 74LVX14
- 74LVX08
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- 74LVT86
- 74LVT74
- 74LVT32
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- 74LVT14
- 74LVT125PW,118
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- 74LVT125PW
- 74LVT125DB
- 74LVT125D/AUJ
- 74LVT125D,118-CUT TAPE
- 74LVT125D,118
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- 74LVT125D
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- 74LVT125BQ,115
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- 74LVT08PW/AUJ
- 74LVT08PW,118
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2020-9-1174LVQ11MTR-三重3输入与门
74LVQ11是一个低电压CMOS三重3输入与门亚微米制造硅栅和双层金属布线C2MOS技术。它是理想的低功耗和低噪音3.3V应用。内部电路是由3个阶段包括缓冲输出，从而使高噪声免疫力和稳定的输出。所有输入和输出都配备了防止静电放电保护电路，让他们2KV的静电放电抗扰度和瞬态过剩电压。高速：TPD=4.7ns（典型值）VCC=3.3V兼容TTL输出低功耗：ICC=2毫安（最大值）在TA=25℃低噪声：VOLP=0.3VVCC=3.3V（典型值）75W的传输线路驱动CAPA
2012-11-6
DdatasheetPDF页码索引
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