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71V65603S100BG8

256K x 36, 512K x 18 3.3V Synchronous ZBT™ SRAMs ZBT™ Feature 3.3V I/O, Burst Counter Pipelined Outputs

Features ◆ 256K x 36, 512K x 18 memory configurations ◆ Supports high performance system speed - 150MHz (3.8ns Clock-to-Data Access) ◆ ZBTTM Feature - No dead cycles between write and read cycles ◆ Internally synchronized output buffer enable eliminates the need to control OE ◆ Single R/W (

RENESAS

瑞萨

71V65603S100BG8

封装/外壳:119-BGA 包装:托盘 描述:IC SRAM 9MBIT PARALLEL 119PBGA 集成电路(IC) 存储器

ETC

知名厂家

更新时间:2025-11-19 23:00:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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