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71V3576S150PFGI8

128K x 36, 256K x 18 3.3V Synchronous SRAMs 3.3V I/O, Pipelined Outputs Burst Counter, Single Cycle Deselect

Features ◆ 128K x 36, 256K x 18 memory configurations ◆ Supports high system speed: Commercial and Industrial: – 150MHz 3.8ns clock access time – 133MHz 4.2ns clock access time ◆ LBO input selects interleaved or linear burst mode ◆ Self-timed write cycle with global write control (GW), byte

RENESAS

瑞萨

71V3576S150PFGI8

3.3V Synchronous SRAMs 3.3V I/O, Pipelined Outputs Burst Counter, Single Cycle Deselect

文件:220.08 Kbytes Page:18 Pages

IDT

71V3576S150PFGI8

封装/外壳:100-LQFP 包装:托盘 描述:IC SRAM 4.5MBIT PARALLEL 100TQFP 集成电路(IC) 存储器

ETC

知名厂家

更新时间:2025-11-29 16:42:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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