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71V35761SA183BQG8

128K x 36 3.3V Synchronous SRAMs 3.3V I/O, Pipelined Outputs Burst Counter, Single Cycle Deselect

Features ◆ 128K x 36 memory configurations ◆ Supports high system speed: Commercial: – 200MHz 3.1ns clock access time Commercial and Industrial: – 183MHz 3.3ns clock access time – 166MHz 3.5ns clock access time ◆ LBO input selects interleaved or linear burst mode ◆ 3.3V core power supply

RENESAS

瑞萨

71V35761SA183BQG8

封装/外壳:165-TBGA 包装:托盘 描述:IC SRAM 4.5MBIT PAR 165CABGA 集成电路(IC) 存储器

ETC

知名厂家

3.3V Synchronous SRAMs 3.3V I/O, Pipelined Outputs Burst Counter, Single Cycle Deselect

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IDT

更新时间:2025-11-20 16:30:00
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