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71V016SA12BFI8

3.3VCMOSStaticRAM1Meg(64Kx16-Bit)

Features ◆64Kx16advancedhigh-speedCMOSStaticRAM ◆Equalaccessandcycletimes —Commercial:10/12/15/20ns —Industrial:10/12/15/20ns ◆OneChipSelectplusoneOutputEnablepin ◆Bidirectionaldatainputsandoutputsdirectly LVTTL-compatible ◆Lowpowerconsumptionviachipdes

RENESASRenesas Technology Corp

瑞萨瑞萨科技有限公司

RENESAS
71V016SA12BFI8

封装/外壳:48-LFBGA 包装:卷带(TR) 描述:IC SRAM 1MBIT PARALLEL 48CABGA 集成电路(IC) 存储器

ETC

知名厂家

3.3VCMOSStaticRAM1Meg(64Kx16-Bit)

Description TheIDT71V016isa1,048,576-bithigh-speedStaticRAMorganizedas64Kx16.ItisfabricatedusingIDT’shigh-perfomance,high-reliabilityCMOStechnology.Thisstate-of-the-arttechnology,combinedwithinnovativecircuitdesigntechniques,providesacost-effectivesolutionfor

IDT

Integrated Device Technology, Inc.

IDT
更新时间:2025-7-24 23:00:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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