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71T75602S150PFGI8

512K x 36, 1M x 18 2.5V Synchronous ZBT™ SRAMs 2.5V I/O, Burst Counter Pipelined Outputs

Features ◆ 512K x 36, 1M x 18 memory configurations ◆ Supports high performance system speed - 200 MHz (3.2 ns Clock-to-Data Access) ◆ ZBTTM Feature - No dead cycles between write and read cycles ◆ Internally synchronized output buffer enable eliminates the need to control OE ◆ Single R/W

RENESAS

瑞萨

71T75602S150PFGI8

封装/外壳:100-LQFP 包装:托盘 描述:IC SRAM 18MBIT PARALLEL 100TQFP 集成电路(IC) 存储器

ETC

知名厂家

71T75602S150PFGI8

2.5V Synchronous ZBT SRAMs I/O, Burst Counter Pipelined Outputs

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IDT

更新时间:2025-11-26 13:01:00
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