型号 功能描述 生产厂家 企业 LOGO 操作
71T75602S100BGGI8

512K x 36, 1M x 18 2.5V Synchronous ZBT™ SRAMs 2.5V I/O, Burst Counter Pipelined Outputs

Features ◆ 512K x 36, 1M x 18 memory configurations ◆ Supports high performance system speed - 200 MHz (3.2 ns Clock-to-Data Access) ◆ ZBTTM Feature - No dead cycles between write and read cycles ◆ Internally synchronized output buffer enable eliminates the need to control OE ◆ Single R/W

RENESAS

瑞萨

71T75602S100BGGI8

封装/外壳:119-BGA 包装:托盘 描述:IC SRAM 18MBIT PARALLEL 119PBGA 集成电路(IC) 存储器

ETC

知名厂家

71T75602S100BGGI8

2.5V Synchronous ZBT SRAMs I/O, Burst Counter Pipelined Outputs

文件:260.17 Kbytes Page:26 Pages

IDT

71T75602S100BGGI8产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    71T75602S100BGGI8

  • 功能描述

    静态随机存取存储器

  • RoHS

  • 制造商

    Cypress Semiconductor

  • 存储容量

    16 Mbit

  • 组织

    1 M x 16

  • 访问时间

    55 ns

  • 电源电压-最大

    3.6 V

  • 电源电压-最小

    2.2 V

  • 最大工作电流

    22 uA

  • 最大工作温度

    + 85 C

  • 最小工作温度

    - 40 C

  • 安装风格

    SMD/SMT

  • 封装/箱体

    TSOP-48

  • 封装

    Tray

更新时间:2025-11-24 17:58:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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