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71124S20YG8

CMOS Static RAM 1 Meg (128K x 8-Bit) Revolutionary Pinout

Features ◆ 128K x 8 advanced high-speed CMOS static RAM ◆ JEDEC revolutionary pinout (center power/GND) for reduced noise. ◆ Equal access and cycle times – Commercial: 12/15/20ns – Industrial: 15/20ns ◆ One Chip Select plus one Output Enable pin ◆ Bidirectional inputs and outputs directly

RENESAS

瑞萨

71124S20YG8

封装/外壳:32-BSOJ(0.400",10.16mm 宽) 包装:卷带(TR) 描述:IC SRAM 1MBIT PARALLEL 32SOJ 集成电路(IC) 存储器

ETC

知名厂家

更新时间:2025-11-18 18:24:00
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