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| 型号 | 功能描述 | 生产厂家&企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
70V7519S166DR | HIGH-SPEED3.3V256Kx36SYNCHRONOUSBANK-SWITCHABLEDUAL-PORTSTATICRAMWITH3.3VOR2.5VINTERFACE 文件：231.17 Kbytes Page：22 Pages | IDTIntegrated Device Technology, Inc. 集成器深圳市集成器件技术有限公司 |  |   |
70V7519S166DR | 封装/外壳：208-BFQFP 包装：卷带（TR） 描述：IC SRAM 9MBIT PARALLEL 208PQFP 集成电路（IC） 存储器 | RENESASRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司 |  | |
HIGH-SPEED3.3V256Kx36SYNCHRONOUSBANK-SWITCHABLEDUAL-PORTSTATICRAM 文件：756.11 Kbytes Page：22 Pages | IDTIntegrated Device Technology, Inc. 集成器深圳市集成器件技术有限公司 | | | |
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封装/外壳：208-BFQFP 包装：托盘 描述：IC SRAM 9MBIT PARALLEL 208PQFP 集成电路（IC） 存储器 | RENESASRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司 | | | |
HIGH-SPEED3.3V256Kx36SYNCHRONOUSBANK-SWITCHABLEDUAL-PORTSTATICRAMWITH3.3VOR2.5VINTERFACE Features: ◆256Kx36SynchronousBank-SwitchableDual-ported SRAMArchitecture –64independent4Kx36banks –9megabitsofmemoryonchip ◆Bankaccesscontrolledviabankaddresspins ◆High-speeddataaccess –Commercial:3.4ns(200MHz)/3.6ns(166MHz)/4.2ns (133MHz)(max.) –Industri | RENESASRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司 | | | |
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70V7519S166DR产品属性
- 类型
描述
- 型号
70V7519S166DR
- 功能描述
静态随机存取存储器
- RoHS
否
- 制造商
Cypress Semiconductor
- 存储容量
16 Mbit
- 组织
1 M x 16
- 访问时间
55 ns
- 电源电压-最大
3.6 V
- 电源电压-最小
2.2 V
- 最大工作电流
22 uA
- 最大工作温度
+ 85 C
- 最小工作温度
- 40 C
- 安装风格
SMD/SMT
- 封装/箱体
TSOP-48
- 封装
Tray
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
IDT, Integrated Device Technol |
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165-LBGA |
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2020-10-217116-1546-02优势订货，全新原装
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2020-9-2
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