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70V659S15BF | HIGH-SPEED3.3V128/64/32Kx36ASYNCHRONOUSDUAL-PORTSTATICRAM Features ◆TrueDual-Portmemorycellswhichallowsimultaneous accessofthesamememorylocation ◆High-speedaccess –Commercial:10/12/15ns(max.) –Industrial:12ns(max.) ◆Dualchipenablesallowfordepthexpansionwithout externallogic ◆IDT70V659/58/57easilyexpandsdatabuswi | RENESASRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司 |  |   |
70V659S15BF | 封装/外壳：208-LFBGA 包装：托盘 描述：IC SRAM 4.5MBIT PAR 208CABGA 集成电路（IC） 存储器 | RENESASRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司 | | |
HIGH-SPEED3.3V128/64/32Kx36ASYNCHRONOUSDUAL-PORTSTATICRAM Features ◆TrueDual-Portmemorycellswhichallowsimultaneous accessofthesamememorylocation ◆High-speedaccess –Commercial:10/12/15ns(max.) –Industrial:12ns(max.) ◆Dualchipenablesallowfordepthexpansionwithout externallogic ◆IDT70V659/58/57easilyexpandsdatabuswi | RENESASRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司 | | | |
封装/外壳：208-LFBGA 包装：托盘 描述：IC SRAM 4.5MBIT PAR 208CABGA 集成电路（IC） 存储器 | RENESASRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司 | | | |
HIGH-SPEED3.3V128/64/32Kx36ASYNCHRONOUSDUAL-PORTSTATICRAM 文件：200.22 Kbytes Page：24 Pages | IDTIntegrated Device Technology, Inc. 集成器深圳市集成器件技术有限公司 |  | | |
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