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| 型号 | 功能描述 | 生产厂家&企业 | LOGO | 操作 |
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70V657S12BFGI8 | HIGH-SPEED3.3V128/64/32Kx36ASYNCHRONOUSDUAL-PORTSTATICRAM Features ◆TrueDual-Portmemorycellswhichallowsimultaneous accessofthesamememorylocation ◆High-speedaccess –Commercial:10/12/15ns(max.) –Industrial:12ns(max.) ◆Dualchipenablesallowfordepthexpansionwithout externallogic ◆IDT70V659/58/57easilyexpandsdatabuswi | RENESASRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司 |  |   |
70V657S12BFGI8 | 封装/外壳：208-LFBGA 包装：托盘 描述：IC SRAM 1.125MBIT PAR 208FPBGA 集成电路（IC） 存储器 | RENESASRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司 | | |
70V657S12BFGI8 | HIGH-SPEED3.3V128/64/32Kx36ASYNCHRONOUSDUAL-PORTSTATICRAM 文件：234.54 Kbytes Page：24 Pages | IDTIntegrated Device Technology, Inc. 集成器深圳市集成器件技术有限公司 |  | |
更新时间：2024-6-16 23:00:00
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