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70V631S12BFGI8

HIGH-SPEED 3.3V 256K x 18 ASYNCHRONOUS DUAL-PORT STATIC RAM

Features ◆ True Dual-Port memory cells which allow simultaneous access of the same memory location ◆ High-speed access – Commercial: 10/12/15ns (max.) – Industrial: 12ns (max.) ◆ Dual chip enables allow for depth expansion without external logic ◆ IDT70V631 easily expands data bus width to

RENESAS

瑞萨

70V631S12BFGI8

封装/外壳:208-LFBGA 包装:托盘 描述:IC SRAM 4.5MBIT PAR 208FPBGA 集成电路(IC) 存储器

ETC

知名厂家

70V631S12BFGI8

HIGH-SPEED 3.3V 256K x 18 ASYNCHRONOUS DUAL-PORT STATIC RAM

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IDT

70V631S12BFGI8

HIGH-SPEED 3.3V 256K x 18 ASYNCHRONOUS DUAL-PORT STATIC RAM

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IDT

更新时间:2025-10-3 16:30:00
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