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70V631S12BC8

HIGH-SPEED3.3V256Kx18ASYNCHRONOUSDUAL-PORTSTATICRAM

Features ◆TrueDual-Portmemorycellswhichallowsimultaneous accessofthesamememorylocation ◆High-speedaccess –Commercial:10/12/15ns(max.) –Industrial:12ns(max.) ◆Dualchipenablesallowfordepthexpansionwithout externallogic ◆IDT70V631easilyexpandsdatabuswidthto

RENESASRenesas Technology Corp

瑞萨瑞萨科技有限公司

RENESAS
70V631S12BC8

封装/外壳:256-LBGA 包装:卷带(TR) 描述:IC SRAM 4.5MBIT PAR 256CABGA 集成电路(IC) 存储器

ETC

知名厂家

更新时间:2025-8-4 23:00:00
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