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70V3579S6BCI8

HIGH-SPEED3.3V32Kx36SYNCHRONOUSPIPELINEDDUAL-PORTSTATICRAMWITH3.3VOR2.5VINTERFACE

Features: ◆TrueDual-Portmemorycellswhichallowsimultaneous accessofthesamememorylocation ◆High-speedclocktodataaccess –Commercial:4.2/5/6ns(max.) –Industrial:5ns(max) ◆Pipelinedoutputmode ◆Counterenableandresetfeatures ◆Dualchipenablesallowfordepthexpan

RENESASRenesas Electronics America

瑞萨瑞萨科技有限公司

RENESAS
70V3579S6BCI8

封装/外壳:256-LBGA 包装:托盘 描述:IC SRAM 1.125MBIT PAR 256CABGA 集成电路(IC) 存储器

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瑞萨瑞萨科技有限公司

RENESAS

70V3579S6BCI8产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    70V3579S6BCI8

  • 功能描述

    静态随机存取存储器

  • RoHS

  • 制造商

    Cypress Semiconductor

  • 存储容量

    16 Mbit

  • 组织

    1 M x 16

  • 访问时间

    55 ns

  • 电源电压-最大

    3.6 V

  • 电源电压-最小

    2.2 V

  • 最大工作电流

    22 uA

  • 最大工作温度

    + 85 C

  • 最小工作温度

    - 40 C

  • 安装风格

    SMD/SMT

  • 封装/箱体

    TSOP-48

  • 封装

    Tray

更新时间:2024-5-29 17:14:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
RENESAS(瑞萨)/IDT
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CABGA256(17x17)
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瑞萨全系列在售

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