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70V07S55G

HIGH-SPEED3.3V32Kx8DUAL-PORTSTATICRAM

Features ◆TrueDual-Portedmemorycellswhichallowsimultaneous accessofthesamememorylocation ◆High-speedaccess –Commercial:25/35/55ns(max.) –Industrial:35ns(max.) ◆Low-poweroperation –IDT70V07S Active:300mW(typ.) Standby:3.3mW(typ.) –IDT70V07L Active:300mW(typ.

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瑞萨瑞萨科技有限公司

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封装/外壳:68-BPGA 包装:卷带(TR) 描述:IC SRAM 256KBIT PARALLEL 68PGA 集成电路(IC) 存储器

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更新时间:2024-5-19 14:20:00
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