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| 型号 | 功能描述 | 生产厂家&企业 | LOGO | 操作 |
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70T659S10BCI8 | HIGH-SPEED2.5V256/128Kx36ASYNCHRONOUSDUAL-PORTSTATICRAMWITH3.3V0R2.5VINTERFACE Features ◆TrueDual-Portmemorycellswhichallowsimultaneous accessofthesamememorylocation ◆High-speedaccess –Commercial:10/12/15ns(max.) –Industrial:10/12ns(max.) ◆RapidWriteModesimplifieshigh-speedconsecutivewrite cycles ◆Dualchipenablesallowfordepthexpansion | RENESASRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司 |  |   |
70T659S10BCI8 | 封装/外壳：256-LBGA 包装：托盘 描述：IC SRAM 4.5MBIT PAR 256CABGA 集成电路（IC） 存储器 | RENESASRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司 | | |
更新时间：2024-6-17 18:30:00
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
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