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70P257L55BYGI

VERYLOWPOWER1.8V8K/4Kx16DUAL-PORTSTATICRAM

Features ◆TrueDual-Portedmemorycellswhichallowsimultaneous readsofthesamememorylocation ◆High-speedaccess –Industrial:55ns(max.) ◆Low-poweroperation IDT70P257/247L Active:27mW(typ.) Standby:3.6μW(typ.) ◆Separateupper-byteandlower-bytecontrolformultiplexed bu

RENESASRenesas Electronics America

瑞萨瑞萨科技有限公司

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70P257L55BYGI

VERYLOWPOWER1.8V8K/4Kx16DUAL-PORTSTATICRAM

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IDTIntegrated Device Technology, Inc.

集成器深圳市集成器件技术有限公司

IDT

VERYLOWPOWER1.8V8K/4Kx16DUAL-PORTSTATICRAM

Description TheIDT70P257/247isaverylowpower8K/4Kx16Dual-PortStaticRAM.TheIDT70P257/247isdesignedtobeusedasastand-alone128/64K-bitDual-PortSRAMorasacombinationMASTER/SLAVEDualPortSRAMfor32-bit-or-morewordsystems.UsingtheIDTMASTER/SLAVEDual-PortSRAMapproa

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集成器深圳市集成器件技术有限公司

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70P257L55BYGI产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    70P257L55BYGI

  • 功能描述

    静态随机存取存储器

  • RoHS

  • 制造商

    Cypress Semiconductor

  • 存储容量

    16 Mbit

  • 组织

    1 M x 16

  • 访问时间

    55 ns

  • 电源电压-最大

    3.6 V

  • 电源电压-最小

    2.2 V

  • 最大工作电流

    22 uA

  • 最大工作温度

    + 85 C

  • 最小工作温度

    - 40 C

  • 安装风格

    SMD/SMT

  • 封装/箱体

    TSOP-48

  • 封装

    Tray

更新时间:2024-5-12 16:20:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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