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型号 功能描述 生产厂家&企业 LOGO 操作
6N60C

600VN-ChannelMOSFET

GeneralDescription TheseN-ChannelenhancementmodepowerfieldeffecttransistorsareproducedusingFairchildísproprietary,planarstripe,DMOStechnology.Thisadvancedtechnologyhasbeenespeciallytailoredtominimizeon-stateresistance,providesuperiorswitchingp

FairchildFairchild Semiconductor

仙童半导体飞兆/仙童半导体公司

Fairchild
6N60

AvalancheEnergySpecified

DESCRITION ·Designedforhighefficiencyswitchmodepowersupply. FEATURES ·DrainCurrent–ID=6A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-:VDSS=600V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance:RDS(on)=1.2Ω(Max) ·AvalancheEnergySpecified ·FastSwitching ·SimpleDriveRequirements

ISCInchange Semiconductor Company Limited

无锡固电无锡固电半导体股份有限公司

ISC
6N60

6.2Amps,600/650VoltsN-CHANNELMOSFET

DESCRIPTION TheUTC6N60isahighvoltagepowerMOSFETandisdesignedtohavebettercharacteristics,suchasfastswitchingtime,lowgatecharge,lowon-stateresistanceandhaveahighruggedavalanchecharacteristics.ThispowerMOSFETisusuallyusedathighspeedswitchingapplications

UTCUnisonic Technologies

友顺友顺科技股份有限公司

UTC
6N60

N-CHANNELPOWERMOSFET

文件：460.3 Kbytes Page：6 Pages

ZSELECZibo Seno Electronic Engineering Co.,Ltd

淄博圣诺电子淄博圣诺电子工程有限公司

ZSELEC
6N60

N-ChannelPowerMOSFET

文件：486.21 Kbytes Page：10 Pages

NELLSEMINell Semiconductor Co., Ltd

尼尔半导体尼尔半导体股份有限公司

NELLSEMI
6N60

N-Channel600V(D-S)PowerMOSFET

文件：1.0803 Mbytes Page：9 Pages

VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd

微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司

VBSEMI

6N60C供应商更多...

更新时间：2025-7-23 16:28:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
贸泽芯城（深圳）电子科技有限公司
6n60d3483fr36
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