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63110-M

438 PCB Barrier Terminal Strip, 600V

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RADIATION HARDENED POWER MOSFET SURFACE MOUNT (LCC-28)

100V, Combination 2N-2P-CHANNEL International Rectifier’s RAD-HardTM HEXFET® MOSFET Technology provides high performance power MOSFETs for space applications. This technology has over a decade of proven performance and reliability in satellite applications. These devices have been characterized f

IRF

100V, Combination 2N-2P-CHANNEL RAD-Hard HEXFET MOSFET TECHNOLOGY

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IRF

更新时间:2025-10-1 15:01:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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