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5N65K

isc N-Channel MOSFET Transistor

FEATURES ·Drain Current : ID= 5.0A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage : VDSS= 650V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance : RDS(on) = 2.4Ω(Max) @ VGS= 10V ·100 avalanche tested ·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRIPTION ·motor drive, DC-

ISC

无锡固电

5N65K

N-CHANNEL POWER MOSFET

文件:2.62027 Mbytes Page:7 Pages

SUNMATE

森美特

5N65K

5A, 650V N-CHANNEL POWER MOSFET

文件:228.69 Kbytes Page:6 Pages

UTC

友顺

N-Channel Power MOSFET

文件:400 Kbytes Page:8 Pages

NELLSEMI

尼尔半导体

Fast Switching Speed

文件:53.7 Kbytes Page:2 Pages

ISC

无锡固电

650V N-Channel Power MOSFET

文件:2.22425 Mbytes Page:9 Pages

DYELECDIYI Electronic Technology Co., Ltd.

迪一电子山东迪一电子科技有限公司

5A, 650V N-CHANNEL POWER MOSFET

文件:253.64 Kbytes Page:6 Pages

UTC

友顺

N-CHANNEL MOSFET

文件:500.1 Kbytes Page:6 Pages

ZSELEC

淄博圣诺电子

5A, 650V N-CHANNEL POWER MOSFET

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UTC

友顺

5A, 650V N-CHANNEL POWER MOSFET

文件:228.69 Kbytes Page:6 Pages

UTC

友顺

N-Channel MOSFET uses advanced trench technology

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DOINGTER

杜因特

更新时间:2025-8-8 19:49:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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